真空磁控濺射 是在真空爐體內(nèi)，采用物理氣相沉積的原理，大氣壓大電流的放電技術(shù)，使靶材蒸發(fā)物與氣體發(fā)生電離，再利用電電場的

加速作用，在產(chǎn)品表面形成薄膜，在這個(gè)過程當(dāng)中有一個(gè)詞靶基距（就是真空爐體內(nèi)靶材與基材之間的距離）今天我們一起來了解一下靶基距與氣壓的關(guān)系，這是森豐真空鍍膜廠家研發(fā)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過一系列的測試后得出的結(jié)果：

第一，靶基距80，120mm下不同氣壓，80mm 0.1和1Pa極端氣壓下，濺射原子到達(dá)基材邊緣和中間的沉積原子數(shù)無明顯變化；第二，靶基距一定，隨著氣壓增大，沉積薄膜的無變化；這說明氣壓增大時(shí)，濺射原子與Ar原子碰撞加劇，從而散射角度增大并沒有引起沉積原子數(shù)目發(fā)生變化；

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