真空鍍膜-分子束外延技術(shù)是近些年被廣泛用在半導(dǎo)體行業(yè)的一項新技術(shù)，它是在超高真空條件下，類似于真空蒸發(fā)鍍把晶體的祖墳和摻雜的原子以一定的熱運動速度，按比例噴射到幾片上去進(jìn)行晶體外延生長而制備單晶膜的一種方法。

這種技術(shù)的主要優(yōu)點是殘余氣體對膜層的污染很少；缺點是時間較長。真空鍍膜-分子束外延技術(shù)自20世紀(jì)70年代在真空蒸發(fā)鍍的基礎(chǔ)上產(chǎn)生以來，發(fā)展的非?？?。通過用激光照射靶來代替分子束源，更容易實現(xiàn)對蒸發(fā)鍍過程的控制，從而應(yīng)用到更多的應(yīng)用領(lǐng)域。真空鍍膜-分子束外延技術(shù)的應(yīng)用場景主要是在高溫超導(dǎo)薄膜和器件的研究和應(yīng)用方面；在外延生長含有低熔點、易揮發(fā)的多元化合物半導(dǎo)體薄膜方面；在人工合成具有特殊層狀晶體結(jié)構(gòu)的新型材料以及在研究和發(fā)展多元金屬間化合物、亞穩(wěn)態(tài)材料方面都有應(yīng)用的前景。