真空鍍膜技術(shù)過程分三個(gè)步驟：一是膜材的氣化;二是真空的運(yùn)輸：三是薄膜的生長(zhǎng)。 真空鍍膜技術(shù)的三個(gè)基本要素為；真空室、膜材料、基體。

          真空鍍膜的特點(diǎn)主要有：能在固態(tài)的基體上鍍制包括金屬、合金、半導(dǎo)體薄膜,而且薄膜的成分可以任意調(diào)控,能鍍制高純度、高密度、附著力強(qiáng)的各種功能薄膜、光學(xué)薄膜,電子薄膜等等。

          真空鍍膜技術(shù)的環(huán)保優(yōu)點(diǎn)也不容忽視,比化學(xué)方法更易制成高純度的薄膜,但是設(shè)備較貴、成本較高。目前先端科研以及產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展越來越迅速,當(dāng)今人類所面臨的幾大課題:環(huán)境、能源、生命和材料都與真空鍍膜技術(shù)的發(fā)展密切相關(guān),這些產(chǎn)業(yè)對(duì)真空鍍膜技術(shù)所提出的要求也越來越高,這使得真空鍍膜技術(shù)得到廣泛的發(fā)展與應(yīng)用,同時(shí)工業(yè)化對(duì)鍍膜的質(zhì)量要求也不斷提高。例如納米微型電子器件在未來可能會(huì)朝著有機(jī)和無機(jī)復(fù)合的方向發(fā)展,這些器件可能需要有較高的純度和性能；這些高純度,高性能的器件對(duì)制備環(huán)境的清潔度也就要求更高。在真空環(huán)境中制備這些器件可以提高其純度,這將増大納米器件組裝成功的希望，納米電子器件的組裝需要很平整的基底 ，這些基底可以用真空鍍膜的方法制備出來。

          總之納米微型電子器件,微型集成電路的高速發(fā)展必將帶領(lǐng)真空鍍膜技術(shù)進(jìn)入一個(gè)高科技時(shí)代。如有想了解真空鍍膜的，歡迎致電：18018743855  0755-27865425