真空濺射鍍膜 是用幾十電子伏或更高動(dòng)能的荷能粒子轟擊材料表面，使其原子獲得足夠高的能量而濺出進(jìn)入氣相，這種濺出的、復(fù)雜的粒子散射過(guò)程稱為濺射。真空濺射鍍膜就是利用濺射現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)制取各種薄膜。

優(yōu)點(diǎn)：膜厚可控性和重復(fù)性好；與基片的附著力強(qiáng)；膜層純度高質(zhì)量好；可制備與靶材不同的物質(zhì)膜。

缺點(diǎn)：成膜速度比蒸發(fā)鍍膜低；基片溫度高；易受雜質(zhì)氣體影響；裝置結(jié)構(gòu)較復(fù)雜。

目前最常用的真空濺射鍍膜 技術(shù)是磁控濺射鍍膜技術(shù)。這種技術(shù)能增加與氣體的碰撞幾率，提高靶材的濺射速率，最終提高沉積速率。因此更適用于具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的功能性薄膜、裝飾領(lǐng)域、微電子領(lǐng)域。